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Detalles del producto

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Descripción: El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace

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Detalles del producto

Descripción de producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
100-TQFP (14x20)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
133 MHz
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
6,5 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
256K x 36
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1361
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
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Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
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Frecuencia del reloj:
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Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
6,5 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
256K x 36
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1361
Formato de memoria:
La SRAM
Se aplicará el método de ensayo de la prueba.
SRAM - IC de memoria SDR sincrónica 9Mbit paralelo a 133 MHz 6,5 ns 100-TQFP (14x20)

Tags:

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