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Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser realizadas en un lugar de ensayo.
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: La memoria IC DRAM 2GBIT PARALÉL 90FBGA

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
2Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de la categoría 90
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Alliance Memory, Inc.
Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Tiempo de acceso:
5 ns
Envase / estuche:
90-VFBGA
Organización de la memoria:
64M x 32
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM - LPDDR móvil
Número del producto de base:
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
2Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
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15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
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Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Tiempo de acceso:
5 ns
Envase / estuche:
90-VFBGA
Organización de la memoria:
64M x 32
Temperatura de funcionamiento:
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Tecnología:
SDRAM - LPDDR móvil
Número del producto de base:
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Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser realizadas en un lugar de ensayo.
SDRAM - IC de memoria LPDDR móvil 2Gbit paralelo 200 MHz 5 ns 90-FBGA (8x13)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memoria,

Chip de IC de memoria 64-FBGA

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