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Descripción de producto

Categoría:	Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria	Tamaño de la memoria:	36Mbit
Estado del producto:	Actividad	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Paquete:	Envases	Serie:	NoBL™
DigiKey es programable:	No verificado	Interfaz de memoria:	En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:	-	Paquete de dispositivos del proveedor:	100-TQFP (14x20)
Tipo de memoria:	Las sustancias	El Sr.:	Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:	167 megaciclos	Voltagem - Suministro:	3.135V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:	3,4 ns	Envase / estuche:	100-LQFP
Organización de la memoria:	el 1M x 36	Temperatura de funcionamiento:	0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:	SRAM - Síncrono, SDR	Número del producto de base:	CY7C1460 y sus derivados
Formato de memoria:	La SRAM

Categoría:	Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:	36Mbit
Estado del producto:	Actividad
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Paquete:	Envases
Serie:	NoBL™
DigiKey es programable:	No verificado
Interfaz de memoria:	En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	100-TQFP (14x20)
Tipo de memoria:	Las sustancias
El Sr.:	Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:	167 megaciclos
Voltagem - Suministro:	3.135V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:	3,4 ns
Envase / estuche:	100-LQFP
Organización de la memoria:	el 1M x 36
Temperatura de funcionamiento:	0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:	SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:	CY7C1460 y sus derivados
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SRAM - IC de memoria SDR síncrona de 36 Mbit paralelo a 167 MHz 3.4 ns 100-TQFP (14x20)

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