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CY62177EV30LL-55BAXIT y sus derivados

Detalles del producto

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Descripción: El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace

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Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
MoBL®
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
Las demás
Paquete de dispositivos del proveedor:
48-FBGA (8x9.5)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
32Mbit
Voltagem - Suministro:
2.2V ~ 3.7V
Tiempo de acceso:
55 ns
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
los 4M x 8, los 2M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
Se trata de los siguientes productos:
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
MoBL®
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
Las demás
Paquete de dispositivos del proveedor:
48-FBGA (8x9.5)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
32Mbit
Voltagem - Suministro:
2.2V ~ 3.7V
Tiempo de acceso:
55 ns
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
los 4M x 8, los 2M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
Se trata de los siguientes productos:
Formato de memoria:
La SRAM
CY62177EV30LL-55BAXIT y sus derivados
SRAM - IC de memoria asíncrona de 32 Mbit paralelo 55 ns 48-FBGA (8x9.5)
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