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Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
20ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las condiciones de los productos de la categoría 1 se establecen en el anexo I.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
20 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
64K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Puerto doble, asíncrono
Número del producto de base:
Se aplicará a los productos de la categoría CY7C028:
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
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Actividad
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Paquete:
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Serie:
-
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No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
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3 V ~ 3,6 V
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64K x 16
Temperatura de funcionamiento:
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Tecnología:
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Número del producto de base:
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Formato de memoria:
La SRAM
CY7C028V-20AXI
SRAM - Puerto doble, IC de memoria asincrónica de 1Mbit paralelo 20 ns 100-TQFP (14x14)

Tags:

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