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CY7C12481KV18-400BZXC
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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
36Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
165-FBGA (13x15)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
400 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Envase / estuche:
165-LBGA
Organización de la memoria:
2M x 18
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
El número de unidades de recolección de datos será el número de unidades de recolección de datos.
Número del producto de base:
CY7C12481 y sus subespecies
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
36Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
165-FBGA (13x15)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
400 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Envase / estuche:
165-LBGA
Organización de la memoria:
2M x 18
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
El número de unidades de recolección de datos será el número de unidades de recolección de datos.
Número del producto de base:
CY7C12481 y sus subespecies
Formato de memoria:
La SRAM
CY7C12481KV18-400BZXC
SRAM - IC de memoria sincrónica DDR II+ de 36 Mbit paralelo a 400 MHz 165-FBGA (13x15)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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