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Hogar > productos > Chip IC de memoria > S29GL512T11FAIV10
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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
Se trata de una
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
60 ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
64-FBGA (13x11)
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Voltagem - Suministro:
1.65V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
110 ns
Envase / estuche:
64-LBGA
Organización de la memoria:
los 64M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FLASH - Ni siquiera
Número del producto de base:
S29GL512
Formato de memoria:
El flash.
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
Se trata de una
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
60 ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
64-FBGA (13x11)
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Voltagem - Suministro:
1.65V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
110 ns
Envase / estuche:
64-LBGA
Organización de la memoria:
los 64M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FLASH - Ni siquiera
Número del producto de base:
S29GL512
Formato de memoria:
El flash.
S29GL512T11FAIV10
Flash - NOR IC de memoria 512Mbit paralelo 110 ns 64-FBGA (13x11)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memoria,

Chip de IC de memoria 64-FBGA

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