Detalles del producto
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Descripción: La IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA también se utiliza en el caso de las unidades de circuito integrad
Categoría: |
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria |
Tamaño de la memoria: |
4Gbit |
Estado del producto: |
Actividad |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Paquete: |
Envases |
Serie: |
Automotriz, AEC-Q100 |
DigiKey es programable: |
No verificado |
Interfaz de memoria: |
En paralelo |
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: |
15ns |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
96-TWBGA (9x13) |
Tipo de memoria: |
Las sustancias |
El Sr.: |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Frecuencia del reloj: |
800 MHz |
Voltagem - Suministro: |
1.283V ~ 1.45V |
Tiempo de acceso: |
20 ns |
Envase / estuche: |
Las demás: |
Organización de la memoria: |
256M x 16 |
Temperatura de funcionamiento: |
-40 °C ~ 95 °C (TC) |
Tecnología: |
La memoria SDRAM es DDR3L. |
Número del producto de base: |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Formato de memoria: |
Dispositivos de almacenamiento |
Categoría: |
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria |
Tamaño de la memoria: |
4Gbit |
Estado del producto: |
Actividad |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Paquete: |
Envases |
Serie: |
Automotriz, AEC-Q100 |
DigiKey es programable: |
No verificado |
Interfaz de memoria: |
En paralelo |
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: |
15ns |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
96-TWBGA (9x13) |
Tipo de memoria: |
Las sustancias |
El Sr.: |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Frecuencia del reloj: |
800 MHz |
Voltagem - Suministro: |
1.283V ~ 1.45V |
Tiempo de acceso: |
20 ns |
Envase / estuche: |
Las demás: |
Organización de la memoria: |
256M x 16 |
Temperatura de funcionamiento: |
-40 °C ~ 95 °C (TC) |
Tecnología: |
La memoria SDRAM es DDR3L. |
Número del producto de base: |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Formato de memoria: |
Dispositivos de almacenamiento |
