Detalles del producto
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Descripción: IC SRAM 1MBIT PARALELO 32SOIC
Categoría: |
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria |
Estado del producto: |
Actividad |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Paquete: |
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel® |
Serie: |
MoBL® |
DigiKey es programable: |
No verificado |
Interfaz de memoria: |
En paralelo |
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: |
45ns |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
32-SOIC |
Tipo de memoria: |
Las sustancias |
El Sr.: |
Tecnologías Infineon |
Tamaño de la memoria: |
1Mbit |
Voltagem - Suministro: |
4.5V ~ 5.5V |
Tiempo de acceso: |
45 ns |
Envase / estuche: |
32-SOIC (0,445", anchura de 11.30m m) |
Organización de la memoria: |
128K x 8 |
Temperatura de funcionamiento: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
Tecnología: |
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da |
Número del producto de base: |
CY62128 |
Formato de memoria: |
La SRAM |
Categoría: |
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria |
Estado del producto: |
Actividad |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Paquete: |
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel® |
Serie: |
MoBL® |
DigiKey es programable: |
No verificado |
Interfaz de memoria: |
En paralelo |
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: |
45ns |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
32-SOIC |
Tipo de memoria: |
Las sustancias |
El Sr.: |
Tecnologías Infineon |
Tamaño de la memoria: |
1Mbit |
Voltagem - Suministro: |
4.5V ~ 5.5V |
Tiempo de acceso: |
45 ns |
Envase / estuche: |
32-SOIC (0,445", anchura de 11.30m m) |
Organización de la memoria: |
128K x 8 |
Temperatura de funcionamiento: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
Tecnología: |
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da |
Número del producto de base: |
CY62128 |
Formato de memoria: |
La SRAM |
