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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El bolso
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
100-TQFP (14x20)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
117 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
7 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
256K x 36
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1361
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El bolso
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
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-
Paquete de dispositivos del proveedor:
100-TQFP (14x20)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
117 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
7 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
256K x 36
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1361
Formato de memoria:
La SRAM
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SRAM - IC de memoria SDR síncrona de 9 Mbit paralelo a 117 MHz 7 ns 100-TQFP (14x20)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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