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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
36Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
209-FBGA (14x22)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
250 MHz
Voltagem - Suministro:
2.375V ~ 2.625V
Tiempo de acceso:
2.6 ns
Envase / estuche:
209-BGA
Organización de la memoria:
512K x 72
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1446: el contenido de nitrógeno
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
36Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
209-FBGA (14x22)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
250 MHz
Voltagem - Suministro:
2.375V ~ 2.625V
Tiempo de acceso:
2.6 ns
Envase / estuche:
209-BGA
Organización de la memoria:
512K x 72
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1446: el contenido de nitrógeno
Formato de memoria:
La SRAM
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.
SRAM - IC de memoria SDR síncrona de 36 Mbit paralelo a 250 MHz 2,6 ns 209-FBGA (14x22)

Tags:

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