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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
144Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de unidades de producción es el siguiente:
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
933 megaciclos
Voltagem - Suministro:
1.26V ~ 1.34V
Envase / estuche:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Organización de la memoria:
8M x 18
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de los dispositivos de seguridad de seguridad.
Número del producto de base:
CY7C4122
Formato de memoria:
La SRAM
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
144Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de unidades de producción es el siguiente:
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
933 megaciclos
Voltagem - Suministro:
1.26V ~ 1.34V
Envase / estuche:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Organización de la memoria:
8M x 18
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
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Número del producto de base:
CY7C4122
Formato de memoria:
La SRAM
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SRAM - IC de memoria sincrónica QDR IV de 144 Mbit paralelo a 933 MHz 361-FCBGA (21x21)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria flash Nand Ic,

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